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2N6491G中文资料

2N6491G图片

2N6491G外观图

  • 大小:92.7KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: BIPOLAR, TRANSISTOR; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Power Dissipation Pd:1.8W; DC Collector Current:-15A; DC Current Gain hFE:5; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:20V; Gain Bandwidth ft Typ:5MHz; Hfe Min:150; Package / Case:3-TO-220
  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):15A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):80V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):3.5V @ 5A,15A
  • 电流 - 集电极截止(最大):1mA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):20 @ 5A,4V
  • 功率 - 最大:1.8W
  • 频率 - 转换:5MHz
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商设备封装:TO-220AB
  • 包装:管件
  • 其它名称:2N6491GOS

2N6491G供应商

更新时间:2023-02-07 02:15:57
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